国产MOS管替代 3N10 SOT-23 小封装MOSFET型号 100VN沟道MOS管
国产MOS管替代 3N10的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
国产MOS管替代 3N10的管脚排列图：
国产MOS管替代 3N10的极限参数：
(除非有特殊要求，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 2.8 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | 1 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 5 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 722 | mJ |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 80 |
国产MOS管替代 3N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1A | 260 | 310 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=0.5A | 270 | 320 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 2.4 | S | ||
| Qg | 栅极总电荷 | 9.7 | 13.6 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.6 | 2.2 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.7 | 2.4 | ||
| Ciss | 输入电容 | 508 | 711 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 29 | 41 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 16.4 | 23 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 1.6 | 3.2 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 19 | 34 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 13.6 | 27 | ||
| tf | 开启下降时间 | 19 | 38 |
国产MOS管替代 3N10的封装外形尺寸：
扫二维码进入手机网站