60N02 TO-252 低压N沟道MOS管 MOS管选型 场效应管引脚排列
低压N沟道MOS管 60N02的引脚图：
低压N沟道MOS管 60N02的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
低压N沟道MOS管 60N02的极限参数：
(如无特殊要求，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：60A
漏极电流-脉冲 IDM：210A
总耗散功率 PD：57W
单脉冲雪崩能量 EAS：56.2mJ
工作结温和存储温度 TJ,TSTG：-55~175℃
结到管壳的热阻 RθJC：2.63℃/W
低压N沟道MOS管 60N02的电特性：
(如无特殊要求，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 24 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=30A | 4.1 | 5.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=20A | 7.4 | 9 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.75 | 1.2 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 32 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2500 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 407 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 386 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 49 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 74 | |||
| tf | 开启下降时间 | 26 |
低压N沟道MOS管 60N02的封装外形尺寸图：
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