中低压MOS管 40N02 TO-252 MOSFET生产厂家
中低压MOS管 40N02的引脚配置图：
中低压MOS管 40N02的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
中低压MOS管 40N02的极限值：
(如无特殊要求，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 40 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 28 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 80 | |
| PD | 总耗散功率 | 40 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 150 | mJ |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.8 | ℃/W |
中低压MOS管 40N02的电特性：
(如无特殊要求，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=25A | 6.2 | 10 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=10A | 9.1 | 12 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.7 | 1.2 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 15 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1100 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 162 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 105 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 4.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 9.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 18.7 | |||
| tf | 开启下降时间 | 3.3 |
中低压MOS管 40N02的封装外形尺寸图：
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