低压NMOS 国产场效应管 20N02 场效应管封装丝印
国产场效应管 20N02的引脚配置图：
国产场效应管 20N02的特点：
VDS=20V
ID=20A
RDS(ON)＜8mΩ@VGS=10V
封装：PDFN3X3-8L
国产场效应管 20N02的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
国产场效应管 20N02的极限参数：
(如无特殊要求，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDSS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGSS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 20 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 15 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 60 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 31 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 36 | mJ |
| TSTG | 存储温度 | -55~+175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+175 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 4.84 | ℃/W |
国产场效应管 20N02的电特性：
(如无特殊要求，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=25A | 6.1 | 8 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=10A | 8.8 | 13 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.4 | 0.7 | 1.1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=20V，VGS=0V | 1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1458 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 238 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 212 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 21 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 39 | |||
| tf | 开启下降时间 | 19 |
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