-50VP沟道MOS管 GM6385A SOT-23 中低压场效应管
中低压场效应管 GM6385A的极限值：
漏极-源极电压 BVDSS -------------------------------------------- -50V
栅极-源极电压 VGS ----------------------------------------------- ±20V
漏极电流-连续 ID ------------------------------------------------- -3.5A
漏极电流-脉冲 IDM ----------------------------------------------- -10A
总耗散功率(TA=25℃) PD ----------------------------------------- 1400mW
结温 TJ ------------------------------------------------------------- 150℃
存储温度 Tstg -------------------------------------------------------- -55~+150℃
中低压场效应管 GM6385A的引脚图：
中低压场效应管 GM6385A的电特性：
(如无特殊说明，TA=-25℃)
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -50 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -1 | -3 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | -1.2 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | -1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=-3A,VGS=-10V | RDS(ON) | 50 | 65 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-4.5V | 60 | 80 | |||
| 输入电容 | CISS | 900 | pF | ||
| 输出电容 | COSS | 100 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 38 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 18 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 51 | |||
| 开启下降时间 | tf | 6 |
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