60VP沟道场效应管 GM6385C SOT-23 贴片MOS管
贴片MOS管 GM6385C的引脚图：
贴片MOS管 GM6385C的极限参数：
漏极-源极电压 BVDSS：-60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-3.5A
漏极电流-脉冲 IDM：-10A
总耗散功率(TA=25℃) PD：1400mW
结温 TJ：150℃
存储温度 Tstg：-55~+150℃
贴片MOS管 GM6385C的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -60 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -1 | -3 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | -1.2 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | -1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=-3A,VGS=-10V | RDS(ON) | 85 | mΩ | ||
静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-4.5V | 120 | ||||
| 输入电容 | CISS | 960 | pF | ||
| 输出电容 | COSS | 100 | |||
| 反向传输电容 | CRSS | 33 | |||
| 总栅极电荷密度 | Qg | 23 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 5 | |||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 6 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 38 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 18 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 51 | |||
| 开启下降时间 | tf | 6 |
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