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N沟道MOS管 60N02 TO-252
N沟道MOS管 60N02 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:60N02
产品封装:TO-252
产品标题:60N02 TO-252 电池保护用MOS管 低压场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


60N02 TO-252 电池保护用MOS管 低压场效应管



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低压场效应管 60N02的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



低压场效应管 60N02的极限值(除非有特殊要求,TC=25℃):

参数符号数值单位
漏极-源极电压VDS
20V
栅极-源极电压VGS±12

漏极电流-连续 (TA=25℃)

ID60A

漏极电流-连续 (TA=70℃)

42

漏极电流-脉冲

IDM210
功耗 (TA=25℃)PD
57W
雪崩能量
EAS56.2mJ
结温,存储温度范围TJ,TSTG-50~175



低压场效应管 60N02的电特性(除非有特殊要求,TC=25℃):

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压2024
V
RDS(ON)

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=30A


4.15.5

静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=20A


7.49
VGS(th)
栅极开启电压0.50.71.2V
IDSS

零栅压漏极电流



1uA
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
32
nC
Qgs栅源电荷密度
3
Qgd栅漏电荷密度
11
Ciss输入电容
2500
pF
Coss输出电容
407
Crss反向传输电容
386
td(on)开启延迟时间
17
ns
tr开启上升时间
49
td(off)关断延迟时间
74
tf
开启下降时间
26


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