贴片MOS管 12N10 TO-252 国产场效应管 12N10
国产场效应管 12N10的应用领域：
消费电子电源
电机控制
同步整流
国产场效应管 12N10的极限值：
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：12A
功耗 PD：17W
雪崩能量 EAS：1.2mJ
存储温度，结温 Tstg，Tj：-55~+150℃
国产场效应管 12N10的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.5 | 2.5 | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V | ±100 | nA | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 110 | 140 | mΩ | |
| VGS=4.5V,ID=3A | 160 | 300 | ||||
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=50V,f=100KHz | 206.1 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 28.9 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 1.4 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VGS=10V,VDS=50V RG=2Ω,ID=5A | 14.7 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 3.5 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 20.9 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 2.7 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=50V,VGS=10V,ID=5A | 1.5 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 1.1 |
国产场效应管 12N10的封装外形尺寸：
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