GMN6521 SOT-23 高压MOS管 650VN沟道MOS管
高压MOS管 GMN6521的引脚图：
高压MOS管 GMN6521的极限值：
漏极-源极电压 BVDSS ：650V
栅极-源极电压 VGS ：±30V
漏极电流-连续 ID ：210mA
漏极电流-脉冲 IDM ：2A
总耗散功率(TA=25℃) PD ：900mW
结温 TJ ：150℃
储存温度 Tstg ：-55~+150℃
高压MOS管 GMN6521的电特性：
如无特殊说明，TA=25℃
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 650 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 2.5 | 3.8 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.2 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=0.5A,VGS=10V | RDS(ON) | 16 | 19 | Ω | |
| 输入电容 | CISS | 120 | pF | ||
| 输出电容 | COSS | 20 | |||
| 开启时间 | t(on) | 6 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 8 |
扫二维码进入手机网站