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150VN沟道场效应管 GMP120N15 TO-220
150VN沟道场效应管 GMP120N15 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GMP120N15
产品封装:TO-220
产品标题:功率场效应管 GMP120N15 TO-220 150VN沟道MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


功率场效应管 GMP120N15 TO-220 150VN沟道MOS管



功率场效应管 GMP120N15的引脚图:

blob.png



功率场效应管 GMP120N15的特点:

  • 优秀沟槽技术

  • 超低导通电阻

  • 低栅电荷密度

  • 快速开关能力

  • 高工作温度范围



功率场效应管 GMP120N15的极限值:

  • 漏极-源极电压 BVDSS :150V

  • 栅极-源极电压 VGS :±25V

  • 漏极电流-连续(TC=25℃) ID :120A

  • 漏极电流-连续(TC=100℃) ID :85A

  • 漏极电流-脉冲 IDM :480A

  • 总耗散功率(TC=25℃) ID :350W

  • 雪崩能量 EAS :552mJ

  • 热阻 RθJC :0.4℃/W

  • 结温/储存温度 TJ,Tstg :-55~175℃



功率场效应管 GMP120N15的电特性:

如无特殊说明,TA=25℃

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS150

V
栅极开启电压VGS(th)2
4

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=150V

IDSS

1uA
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=60A,VGS=10V

RDS(ON)
1011
源极-漏极电流ISD

120A
源极-漏极电流(脉冲)ISDM

380
内附二极管正向压降VSD

1.2V
栅极电阻Rg
1.5
Ω
输入电容
CISS

1900pF
共源输出电容COSS

1010
栅极电荷密度Qg
95


nC
栅极电荷密度Qgs
25
栅漏电荷密度Qgd
30
开启延迟时间t(on)
20
ns
关断延迟时间t(off)
105



功率场效应管 GMP120N15的封装外形尺寸:

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