GML0100 SOT-23 功率场效应管 100VN沟道MOSFET
功率场效应管 GML0100的引脚图：
功率场效应管 GML0100的应用：
笔记本电源管理
便携式设备
电池电源系统
直流/直流变换
负载开关应用
功率场效应管 GML0100的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 100 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±16 | |
漏极电流-连续 TC=25℃ | ID | 1.6 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 6 | |
总耗散功率 TC=25℃ | PTOT | 1.25 | W |
| 热阻 | RθJA | 100 | ℃/W |
| 结温/储存温度 | TJ,Tstg | -55~150 | ℃ |
功率场效应管 GML0100的电特性：
如无特殊说明，TA=25℃
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 100 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 2.5 | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=80V | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=1.6A,VGS=10V | RDS(ON) | 220 | mΩ | ||
静态漏源导通电阻 ID=1A,VGS=4.5V | 235 | ||||
| 源极-漏极电流 | ISD | 1.25 | A | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.3 | V | ||
| 输入电容 | CISS | 429 | pF | ||
| 共源输出电容 | COSS | 187 | |||
| 栅极电荷密度 | Qgs | 1.6 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 2.6 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 11 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 14 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 39 | |||
| 开启下降时间 | tf | 26 |
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