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-60VP沟道场效应管 GMF25P06 TO-220F
-60VP沟道场效应管 GMF25P06 TO-220F
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GMF25P06
产品封装:TO-220F
产品标题:中低压功率MOS管 GMF25P06 TO-220F 塑封场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


中低压功率MOS管 GMF25P06 TO-220F 塑封场效应管



塑封场效应管 GMF25P06的应用:

  • 开关电源

  • DC-DC变换和不间断电源

  • 脉宽调制电极控制

  • 普通开关应用



塑封场效应管 GMF25P06的特点:

  • 超低导通电阻

  • 快速开关能力

  • 封装形式:TO-220F



塑封场效应管 GMF25P06的引脚图:

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塑封场效应管 GMF25P06的极限值:

  • 漏极-源极电压 BVDSS :-60V

  • 栅极-源极电压 VGS :±20V

  • 漏极电流-连续(TC=25℃) ID :-25A

  • 漏极电流-脉冲 IDM :-100A

  • 总耗散功率(TC=25℃) PTOT :40W

  • 热阻 RθJA :62.5℃/W

  • 结温/储存温度 TJ/Tstg :-55~150℃



塑封场效应管 GMF25P06的电特性:

如无特殊说明,TA=25℃

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS-60

V
栅极开启电压VGS(th)-1-1.6-2.5

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=-60V

IDSS

-500uA
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=-12.5A,VGS=-10V

RDS(ON)
4560

静态漏源导通电阻

ID=-12.5A,VGS=-4V


80110
源极-漏极电流ISD

-25A
内附二极管正向压降VSD

-3V
输入电容
CISS
2000
pF
共源输出电容COSS
700
栅极电荷密度Qg
7
nC
开启延迟时间td(on)
15
ns
开启上升时间tr
80
关断延迟时间td(off)
190
开启下降时间tf
90


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