低压MOSFET 60V场效应管 GM6430 SOT-23
60V场效应管 GM6430的引脚图：
60V场效应管 GM6430的极限值：
漏极-源极电压 BVDSS ：60V
栅极-源极电压 VGS ：±20V
漏极电流-连续 IDR ：4A
漏极电流-脉冲 IDRM ：8A
总耗散功率(TA=25℃) PD ：1200mW
总耗散功率(超过25℃递减) PD ：3.8mW/℃
热阻 RθJA ：150℃/W
结温和储存温度 TJ,Tstg ：150℃，-55~+150℃
60V场效应管 GM6430的电性能：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 60 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 3 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.5 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=4A,VGS=10V | RDS(ON) | 30 | 36 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=3A,VGS=4.5V | 36 | 43 | |||
| 输入电容 | CISS | 950 | pF | ||
| 输出电容 | COSS | 325 | |||
| 开启时间 | t(on) | 50 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 90 |
60V场效应管 GM6430的封装外形尺寸：
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