宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » -30VP沟道场效应管 GMDN360P SOT-23

产品分类

Product Categories
-30VP沟道场效应管 GMDN360P SOT-23
-30VP沟道场效应管 GMDN360P SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GMDN360P
产品封装:SOT-23
产品标题:P沟道MOS管 GMDN360P SOT-23 贴片场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


P沟道MOS管 GMDN360P SOT-23 贴片场效应管



P沟道MOS管 GMDN360P的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS-30V
栅极-源极电压VGS±20
漏极电流-连续ID-2A
漏极电流-脉冲IDM-15
总耗散功率
PD1200mW
结温TJ150
储存温度Tstg-55~+150



P沟道MOS管 GMDN360P的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS-30

V
栅极开启电压
VGS(th)-1
-3
内附二极管正向压降VSD

-1
零栅压漏极电流IDSS

-1uA
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=-2A,VGS=-10V

RDS(ON)
6080

静态漏源导通电阻

ID=-1.5A,VGS=-4.5V


95125
输入电容
CISS
420
pF
输出电容COSS
140
开启时间t(on)
10
ns
关断时间t(off)
20


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map