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20VN沟道场效应管 GMS2306 SOT-23
20VN沟道场效应管 GMS2306 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GMS2306
产品封装:SOT-23
产品标题:20V场效应管 GMS2306 SOT-23 贴片N沟道MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


20V场效应管 GMS2306 SOT-23 贴片N沟道MOS管



20V场效应管 GMS2306的脚位图:

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20V场效应管 GMS2306的极限值:

  • 漏极-源极电压 BVDSS :20V

  • 栅极-源极电压 VGS :±10V

  • 漏极电流-连续 ID :4A

  • 漏极电流-脉冲 IDM :12A

  • 总耗散功率 PD :1000mW

  • 结温 TJ :150℃

  • 储存温度 Tstg :-55~+150℃



20V场效应管 GMS2306的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS20

V
栅极开启电压VGS(th)0.5
1.5
内附二极管正向压降VSD

1.5

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=16V

IDSS

1uA

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=16V,TA=55℃



10
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=4A,VGS=4.5V

RDS(ON)

60

静态漏源导通电阻

ID=2A,VGS=2.5V



80
输入电容
CISS

500pF
共源输出电容COSS

100
开启时间
t(on)

8ns
关断时间t(off)

60


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