代理 P沟道绝缘栅MOS管 GM2345 SOT-23 -30V P沟道增强型
GM2345的极限值：
漏极-源极电压：-30V
栅极-源极电压：±12V
漏极电流-连续：-4.2A
漏极电流-脉冲：-30A
总耗散功率：1400mW
结温：150℃
存储温度：-55~+150℃
GM2345的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -30 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -0.6 | -1.3 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | -1 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | -1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=-4.2A,VGS=-10V | RDS(ON) | 57 | 68 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=-4A,VGS=-4.5V | 62 | 80 | |||
静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-2.5V | 80 | 100 | |||
| 输入电容 | Ciss | 710 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 70 | |||
| 开启时间 | t(on) | 37 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 46 |
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