三象限双向晶闸管 BTA26 TO-220A 25A/800V可控硅 大功率国产可控硅
三象限双向晶闸管 BTA26的脚位图：
三象限双向晶闸管 BTA26的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 25 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 250 | A |
| I2t | I2t 值 | 340 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | W |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+125 | ℃ |
三象限双向晶闸管 BTA26的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| CW | BW | |||
| IGT | 门极触发电流 | ≤35 | ≤50 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V | |
| VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | V | |
| IH | 维持电流 | ≤50 | ≤75 | mA |
| IL | 擎住电流 I-III | ≤60 | ≤80 | mA |
| 擎住电流 II | ≤80 | ≤90 | mA | |
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥500 | ≥1000 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V | |
三象限双向晶闸管 BTA26的封装外形尺寸：
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