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30VN沟道场效应管 GM3406 SOT-23
30VN沟道场效应管 GM3406 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM3406
产品封装:SOT-23
产品标题:30V NMOS 增强型场效应管 GM3406 SOT-23
咨询热线:0769-89027776

产品详情


30V NMOS 增强型场效应管 GM3406 SOT-23



GM3406的极限值:

特性参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS30V
栅极-源极电压VGS±20
漏极电流-连续ID3.6A
漏极电流-脉冲IDM15
总耗散功率
PD1400mW
结温Tj150
存储温度Tstg-55~+150




GM3406的电特性:

特性参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS30

V
栅极开启电压VGS(th)1
3
内附二极管正向压降VSD

1.2

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=24V

IDSS


1uA

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=24V,TA=55℃



5
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=3.6A,VGS=10V

RDS(ON)
5065

静态漏源导通电阻

ID=2.8A,VGS=4.5V


75105
输入电容Ciss
288
pF
输出电容Coss
57
开启时间t(on)
6
ns
关断时间t(off)
18



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