N沟道功率MOS管 GMW15N10 TO-252 100V场效应管
GMW15N10的特点：
低反向传输能力
快的开关速度
低电荷密度
GMW15N10的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 100 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 15 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 60 | |
| 总耗散功率 | PTOT | 55 | W |
| 热阻 | RθJC | 2.72 | ℃/W |
| 结温/存储温度 | TJ/Tstg | -55~175 | ℃ |
GMW15N10的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 100 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 1.6 | 3 | |
静态漏源导通电阻 ID=10A,VGS=10V | RDS(ON) | 95 | 110 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=5A,VGS=4.5V | 100 | 130 | |||
| 输入电容 | CISS | 632 | pF | ||
| 共源输出电容 | COSS | 37 | |||
| 反向传输电容 | CRSS | 21 | |||
| 总栅极电荷密度 | Qg | 19.2 | nC | ||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 3.4 | |||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 6.1 |
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