20VN沟道场效应管 GM2320 SOT-23 贴片MOSFET 增强型MOS
GM2320的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±10 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 4 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 15 | |
| 总耗散功率 | PD | 1200 | mW |
| 结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM2320的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 | V | ||
栅极开启电压 | VGS(th) | 0.5 | 1.5 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.5 | |||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=16V | IDSS | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=16V,TA=55℃ | 10 | ||||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=4A,VGS=4.5V | RDS(ON) | 30 | 40 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=2A,VGS=2.5V | 45 | 60 | |||
| 输入电容 | CISS | 600 | pF | ||
| 输出电容 | COSS | 120 | |||
| 开启时间 | t(on) | 8 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 60 |
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