100VP沟道场效应管 GM1029 SOT-23 增强型MOSFET
GM1029的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -100 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | ID | -1.5 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -5 | |
总耗散功率 (环境温度为25℃) | PD | 1250 | mW |
| 结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM1029的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -95 | V | ||
栅极开启电压 | VGS(th) | -1 | -3 | ||
内附二极管正向压降 | VSD | -1.2 | |||
零栅压漏极电流 | IDSS | -1 | uA | ||
栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-10V | RDS(ON) | 290 | 300 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=-1.8A,VGS=-4.5V | 300 | 330 | |||
| 输入电容 | CISS | 900 | pF | ||
| 共源输出电容 | COSS | 100 | |||
| 开启时间 | td(on) | 38 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 18 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 51 | |||
| 开启下降时间 | tf | 6 |
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