60VN沟道场效应管 GM3N06 SOT-23 MOS晶体管 贴片MOSFET
GM3N06的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 60 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | IDR | 3 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDRM | 10 |
GM3N06的热特性：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
总耗散功率 (环境温度为25℃) | PD | 1380 | mW |
总耗散功率 (超过25℃递减) | 3.8 | mW/℃ | |
| 热阻 | RθJA | 90 | ℃/W |
| 结温和存储温度 | TJ,TSTG | 150℃，-55~+150℃ | |
GM3N06的电特性：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 60 | V |
栅极开启电压 | VGS(th) | 1~3 | |
内附二极管正向压降 | VSD | 1.5 | |
零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA |
栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA |
静态漏源导通电阻 ID=3A,VGS=10V | RDS(ON) | 90 | MΩ |
静态漏源导通电阻 ID=2A,VGS=4.5V | 120 | ||
| 输入电容 | CISS | 550 | pF |
| 共源输出电容 | COSS | 125 | |
| 开启时间 | t(on) | 40 | ns |
| 关断时间 | t(off) | 80 |
扫二维码进入手机网站