30VN沟道增强型 GM3400 SOT-23 MOS场效应管
GM3400的极限值：
| 特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 30 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±12 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 5 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 18 | |
| 总耗散功率 | PD | 1400 | mW |
| 结温 | Tj | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM3400的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 30 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.6 | 2 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 0.7 | 1 | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=5A,VGS=10V | RDS(ON) | 35 | 41 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=3.5A,VGS=4.5V | 40 | 45 | |||
静态漏源导通电阻 ID=3A,VGS=2.5V | 50 | 55 | |||
| 输入电容 | Ciss | 545 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 66 | |||
| 开启时间 | t(on) | 9.6 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 39 |
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