GM3100 SOT-23 30VN沟道MOS管 增强型MOSFET
GM3100的极限值：
漏极-源极电压：30V
栅极-源极电压：±20V
漏极电流-连续：8A
漏极电流-脉冲：20A
总耗散功率：1400mW
结温：150℃
存储温度：-55~+150℃
GM3100的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 30 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 2 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.5 | |||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=5A,VGS=10V | RDS(ON) | 12 | 14 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=3.5A,VGS=4.5V | 14 | 16 | |||
| 输入电容 | Ciss | 600 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 120 | |||
| 开启时间 | t(on) | 8 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 60 |
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