PMOS -20V P沟道晶体管 GM3415 SOT-23 增强型
GM3415的极限值：
| 特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
| 漏极电流-连续 | ID | -4 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -17 | |
| 静电释放(人体模型) | 2500 | V | |
| 总耗散功率 | PD | 1000 | mW |
| 结温 | Tj | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM3415的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -0.3 | -1 | ||
| 内附二极管正向压降 | VSD | -1.5 | |||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-16V | IDSS | -1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-16V,TA=55℃ | -10 | ||||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±10 | uA | ||
静态漏源导通电阻 ID=-4A,VGS=-4.5V | RDS(ON) | 35 | 43 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=-3A,VGS=-2.5V | 45 | 54 | |||
静态漏源导通电阻 ID=-2A,VGS=-1.8V | 56 | 73 | |||
| 输入电容 | Ciss | 1450 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 205 | |||
| 开启时间 | t(on) | 9.5 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 94 |
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