GML6401 SOT-23 P沟道场效应晶体管 增强型MOS管
GML6401的极限值：
漏极-源极电压：-12V
栅极-源极电压：±8V
漏极电流-连续：-4.3A
漏极电流-脉冲：-13A
总耗散功率：1300mW
结温：150℃
存储温度：-55~+150℃
GML6401的电特性：
| 特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -12 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -0.4 | -0.95 | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-12V | IDSS | -1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-9.6V,TA=55℃ | -25 | ||||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | uA | ||
静态楼院导通电阻 ID=-4.3A,VGS=-4.5V | RDS(ON) | 50 | mΩ | ||
静态楼院导通电阻 ID=-2.5A,VGS=-2.5V | 85 | ||||
静态楼院导通电阻 ID=-2A,VGS=-1.8V | 125 | ||||
| 输入电容 | Ciss | 830 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 180 | |||
| 开启时间 | t(on) | 11 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 250 |
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