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20V双N沟道场效应管 GM8205D SOT-26
20V双N沟道场效应管 GM8205D SOT-26
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM8205D
产品封装:SOT-26
产品标题:20V双N沟道场效应管 GM8205D SOT-26 中低压mos管 国产mosfet
咨询热线:0769-89027776

产品详情


20V双N沟道场效应管 GM8205D SOT-26 中低压mos管 国产mosfet



GM8205D的极限值:

特性参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS20V
栅极-源极电压VGS±8
漏极电流-连续ID5A
漏极电流-脉冲IDM20
总耗散功率PTOT1.25W
热阻RθJA100℃/W
结温/存储温度TJ,Tstg-55~150




GM8205D的应用:

  • 笔记本电源管理

  • 便携式设备

  • 电池电源系统

  • 直流/直流变换

  • 负载开关应用




GM8205D的电特性:

(如无特殊说明,温度为25℃)

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS20

V
栅极开启电压VGS(th)0.5
1
零栅压漏极电流
IDSS

1uA
栅极漏电流IGSS

±100nA
静态漏源导通电阻(ID=5A,VGS=4.5V)RDS(ON)

2025
静态漏源导通电阻(ID=4A,VGS=2.5V)
3540
内附二极管正向压降VSD

1.2V
输入电容Ciss
800
pF
共源输出电容Coss
155
反向传输电容Crss
125
栅源电荷密度Qgs
1.2
nC
栅漏电荷密度Qgd
1.9
开启延迟时间td(on)
8
ns
开启上升时间tr
10
关断延迟时间td(off)
18
开启下降时间tf
5




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