600V/12A 标准单向可控硅BT151-600 TO-252高压可控硅 BT151国产晶闸管
标准单向可控硅BT151的产品特性：
PNPN 四层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS规范
标准单向可控硅BT151的极限值(TCASE=25℃)：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 8 | A |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 12 | |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 120 | |
| I2t | I2t值 | 72 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 2 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 5 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.5 | |
| Tstg | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+125 |
标准单向可控硅BT151的电性能：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
| MIN | TYP | MAX | |||
| IGT | 门极触发电流 | 15 | mA | ||
| VGT | 门极触发电压 | 1 | V | ||
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |||
| IH | 维持电流 | 30 | mA | ||
| IL | 擎住电流 | 40 | |||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 200 | V/μs | ||
| VTM | 通态压降 | 1.6 | V | ||
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | ||
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | 1 | mA | |||
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