EMF09P02V EDFN 3X3 -20V电压 -20A电流 中低压场效应管
EMF09P02V的主要参数：
EMF09P02V的电特性：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
| 漏极电流-连续 TA=25℃ | ID | -20 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | -15 | ||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -80 | |
| 雪崩电流 | IAS | -15 | |
| 雪崩能量 | EAS | 11.25 | mJ |
| 功耗 TA=25℃ | PD | 2.5 | W |
| 功耗 TA=70℃ | 1.25 | ||
| 结温和存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
EMF09P02V的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | -20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -0.4 | -0.75 | -1.2 | |
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-12V,VGS=0V,Tj=125℃ | -10 | ||||
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | RDS(ON) | 7.8 | 9.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-8A | 10.3 | 12.5 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-5A | 14.5 | 18 | |||
| 正向跨导 | gfs | 32 | S | ||
| 输入电容 | Ciss | 7660 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 596 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 510 | |||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 4.9 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 13 |
扫二维码进入手机网站