单向可控硅 BT169 SOT-23-3L 贴片晶闸管 0.8A微触发可控硅
单向可控硅 BT169的产品特征：
PNPN 四层结构的硅单向器件
门极灵敏触发
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式：SOT-23-3L
单向可控硅 BT169的应用领域：
脉冲点火器
负离子发生器
逻辑电路驱动
彩灯控制器
漏电保护器
吸尘器软启动
单向可控硅 BT169的极限值(TCASE=25℃)：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 0.5 | A |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 0.8 | |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 8 | |
| I2t | I2t 值 | 0.32 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 0.2 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 0.5 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.1 | |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+110 |
单向可控硅 BT169的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
| MIN | TYP | MAX | |||
| IGT | 门极触发电流 | 10 | 200 | μA | |
| VGT | 门极触发电压 | 0.8 | V | ||
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |||
| IH | 维持电流 | 3 | mA | ||
| IL | 擎住电流 | 4 | |||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs | ||
| VTM | 通态压降 | 1.55 | V | ||
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | ||
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=110℃ | 100 | ||||
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