大电流单向可控硅 RC1255 TO-247 55A常用可控硅 调速用插件晶闸管
大电流单向可控硅 RC1255的产品特征：
PNPN 四层结构的硅单向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式：TO-247
大电流单向可控硅 RC1255的应用领域：
RC1255的单向可控硅应用于：电加热控制、电极调速、交流电开关、交直流逆变等等。
大电流单向可控硅 RC1255的极限值(TCASE=25℃)：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 1200/1600 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 55 | A |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 40 | |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 520 | |
| I2t | I2t值 | 1350 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 100 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 5 | A |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | W |
| Tstg | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+125 |
大电流单向可控硅 RC1255的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
| MIN | TYP | MAX | |||
| IGT | 门极触发电流 | 5 | 35 | mA | |
| VGT | 门极触发电压 | 1.3 | V | ||
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |||
| IH | 维持电流 | 120 | mA | ||
| IL | 擎住电流 | 150 | |||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 800 | V/μs | ||
| VTM | 通态压降 | 1.6 | V | ||
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM=VRRM,TJ=25℃ | 10 | μA | ||
断态重复峰值电流 VD=VDRM=VRRM,TJ=125℃ | 5 | mA | |||
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