国产可控硅 MCR100-8 SOT-89-3L 贴片式微触发可控硅 0.8A单向可控硅
国产可控硅 MCR100-8的产品应用：
脉冲点火器
负离子发生器
逻辑电路驱动
彩灯控制器
漏电保护器
吸尘器软启动...
国产可控硅 MCR100-8的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 0.8 | A |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 0.5 | |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 8 | |
| I2t | I2t值 | 0.32 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 0.2 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 0.5 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.1 | |
| Tstg | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+110 |
国产可控硅 MCR100-8的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| MIN | MAX | |||
| IGT | 门极触发电流 | 10 | 200 | μA |
| VGT | 门极触发电压 | 0.8 | V | |
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | ||
| IH | 维持电流 | 3 | mA | |
| IL | 擎住电流 | 4 | ||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs | |
| VTM | 通态压降 | 1.5 | V | |
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=110℃ | 100 | |||
扫二维码进入手机网站