T410国产4A晶闸管 三象限可控硅T410 TO-220B大功率可控硅
三象限可控硅T410的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 4 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 30 | A |
| I2t | I2t值 | 5.1 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 4 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | |
| Tstg | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作结温 | -40~+125 |
三象限可控硅T410的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 数值 | 单位 | |
| IGT | 门极触发电流 | VD=12V,RL=30Ω,Tj=25℃ | I-II-III | ≤10 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | I-II-III | ≤1.3 | V | |
| VGD | 门极不触发电压 | VD=VDRM,Tj=125℃ | ≥0.2 | ||
| IH | 维持电流 | IT=100mA | ≤15 | mA | |
| IL | 擎住电流 | IG=1.2IGT | I-III | ≤25 | mA |
| II | ≤30 | ||||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | VD=67%VDRM,门极开路 Tj=125℃ | ≥40 | V/μs | |
| VIM | 通态压降 | ITM=8.5A,tp=380μs | ≤1.55 | V | |
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 | VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA | |
| VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||
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