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中低压功率MOS管 FIR140N075PG TO-220
中低压功率MOS管 FIR140N075PG TO-220
产品品牌:美国福斯特
产品类型:中低压功率MOS管
产品型号:FIR140N075PG
产品封装:TO-220
产品标题:FIR140N075PG TO-220 福斯特N沟道MOS管 增强型功率MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


FIR140N075PG TO-220 福斯特N沟道MOS管 增强型功率MOSFET



FIR140N075PG的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压VDSS75V
栅极-源极电压VGS±20V
漏极电流-连续ID140A
漏极电流-连续 TC=100℃97
漏极电流-脉冲IDM550
功耗PD260W
单脉冲雪崩能量EAS1200mJ
工作结温和存储温度范围TJ,TSTG-55~175




FIR140N075PG的电特性:

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250μA75

V
零栅压漏极电流IDSSVDS=75V,VGS=0V

1μA
栅极漏电流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
栅极开启电压VGS(th)
VDS=VGS,ID=250μA2
4V
静态漏源导通电阻RDS(ON)VGS=10V,ID=40A
5.15.5
正向跨导gfsVDS=15V,ID=70A160

S
输入电容CissVDS=50V,VGS=0V,F=1.0MHz

7650
pF
输出电容Coss
540
反向传输电容Crss
250
开启延迟时间td(on)VDD=40V,ID=40A VGS=10V,RGEN=2.5Ω

25
nS
开启上升时间tr
100
关断延迟时间td(off)
65
开启下降时间tf
77
栅源电荷密度QgsVDS=44V,ID=40A VGS=10V
30
nC
栅漏电和密度Qgd
40



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