FIR140N075PG TO-220 福斯特N沟道MOS管 增强型功率MOSFET
FIR140N075PG的极限值:
参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
漏极-源极电压 | VDSS | 75 | V |
栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
漏极电流-连续 | ID | 140 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 97 | ||
漏极电流-脉冲 | IDM | 550 | |
功耗 | PD | 260 | W |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 1200 | mJ |
工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR140N075PG的电特性:
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 75 | V | ||
零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=75V,VGS=0V | 1 | μA | ||
栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
栅极开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 5.1 | 5.5 | mΩ | |
正向跨导 | gfs | VDS=15V,ID=70A | 160 | S | ||
输入电容 | Ciss | VDS=50V,VGS=0V,F=1.0MHz | 7650 | pF | ||
输出电容 | Coss | 540 | ||||
反向传输电容 | Crss | 250 | ||||
开启延迟时间 | td(on) | VDD=40V,ID=40A VGS=10V,RGEN=2.5Ω | 25 | nS | ||
开启上升时间 | tr | 100 | ||||
关断延迟时间 | td(off) | 65 | ||||
开启下降时间 | tf | 77 | ||||
栅源电荷密度 | Qgs | VDS=44V,ID=40A VGS=10V | 30 | nC | ||
栅漏电和密度 | Qgd | 40 |