达林顿芯片半导体器件是一种电子部件，它依赖于电子一个的特性的半导体材料（主要是硅、锗和砷化镓，以及有机半导体），用于其功能。在大多数应用中，半导体器件已取代了真空管。他们使用电传导的固态而不是气态或热离子发射在一个真空。使用达林顿芯片半导体器件哪些常用材料？
到目前为止，硅（Si）是半导体器件中使用广泛的材料。它具有较低的原材料成本，相对简单的工艺以及有用的温度范围，这使其成为目前各种竞争材料中好的折衷方案。在半导体器件制造中使用的硅目前制造成晶锭是足够大的直径，以允许生产300毫米（12英寸）的晶片。
锗（Ge）是一种广泛使用的早期半导体材料，但是其热敏性使其不如硅有用。如今，锗通常与硅合金化，用于超高速SiGe器件中。IBM是此类设备的主要生产商。
砷化镓（GaAs）也广泛用于高速设备中，但到目前为止，很难形成这种材料的大直径团块，从而将晶圆直径限制为明显小于硅晶圆的尺寸，从而实现了GaAs器件的批量生产比硅要贵得多。其他较不常见的材料也正在使用或研究中。
碳化硅（SiC）已作为蓝光发光二极管（LED）的原料得到了一些应用，并且正在研究用于半导体设备中，这些设备可以承受很高的工作温度和存在大量电离辐射的环境。IMPATT二极管也已经由SiC制成。
各种铟化合物（砷化铟，锑化铟和磷化铟）也正在LED和固态激光二极管中使用。硫化硒 正在光伏太阳能电池的制造中得到研究。有机半导体常见的用途是有机发光二极管。
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