可控硅厂家场效应管和晶体管电气特性区别？

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-04-06 16:35:47点击：6次

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  可控硅厂家场效应管和晶体管电气特性区别？场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：

  

  1、场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。

  
  

  3、场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

  
  

  4、场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

  
  

  5、一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

  
  

   

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