场效应管替换 13P20 200VP沟道MOSFET 电动机用MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-15 15:21:23点击：6次

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  场效应管替换 13P20 200VP沟道MOSFET 电动机用MOS管

  
  

  
  

  场效应管替换 13P20的符号图：

  

  
  

  
  

  场效应管替换 13P20的应用：

  • 功率放大器

  • 电动机
    

  
  

  
  

  场效应管替换 13P20的特点：
  

  • V_DS=-200V

  • I_D=-13A

  • R_DS(ON)＜0.42Ω@V_GS=10V

  • 封装：TO-252

  
  

  
  

  场效应管替换 13P20的极限参数：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	-200	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 (TC=25℃)	-13	A
  	漏极电流-连续 (TC=100℃)	-7.2
  IDM	漏极电流-脉冲	-52
  EAS	单脉冲雪崩能量	750	mJ
  IAR	重复雪崩电流	-11	A
  EAR	重复雪崩能量	13	mJ
  PD	总耗散功率 (TC=25℃)	125	W
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	62	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	1

  
  

  
  

  场效应管替换 13P20的电特性：
  

  (如无特殊说明，T_J=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	-200			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-5.5A		0.34	0.42	Ω
  VGS(th)	栅极开启电压	-2		-4	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=-200V,VGS=0V			-100	μA
  	零栅压漏极电流 VDS=-160V,VGS=0V,TJ=125℃			-500
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极总电荷			44	nC
  Qgs	栅源电荷密度			7.1
  Qgd	栅漏电荷密度			27
  gfs	正向跨导	4.1			S
  Ciss	输入电容		1200		pF
  Coss	输出电容		370
  Crss	反向传输电容		81
  td(on)	开启延迟时间		14		ns
  tr	开启上升时间		43
  td(off)	关断延迟时间		39
  tf	开启下降时间		38

  
  

  
  

  场效应管替换 13P20的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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