低内阻P沟道MOS管 EMB07P03V EDFN3x3 贴片场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-07-24 09:26:19点击：6次

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  低内阻P沟道MOS管 EMB07P03V EDFN3x3 贴片场效应管

  
  

  
  

  低内阻P沟道MOS管 EMB07P03V的引脚图：

  

  
  

  
  

  低内阻P沟道MOS管 EMB07P03V的极限值：

  如无特殊说明，T_A=25℃

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-30	V
  栅极-源极电压	VGS	±25
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	-26	A
  漏极电流-连续 TA=25℃		-15
  漏极电流-连续 TC=100℃		-19
  漏极电流-脉冲	IDM	-100
  雪崩电流	IAS	-26
  雪崩能量	EAS	33.8	mJ
  重复雪崩能量	EAR	16.9
  功耗 TC=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TC=100℃		1
  结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  低内阻P沟道MOS管 EMB07P03V的电特性：

  如无特殊说明，T_J=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-15A	RDS(ON)		6.9	7.8	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-10A			8.5	11.5
  正向跨导	gfs		24		S
  输入电容	Ciss		4294		pF
  输出电容	Coss		634
  反向传输电容	Crss		566
  栅源电荷密度	Qgs		8.5		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		13
  开启延迟时间	td(on)		18		nS
  开启上升时间	tr		26
  关断延迟时间	td(off)		22
  开启下降时间	tf		75

  
  

  
  

  低内阻P沟道MOS管 EMB07P03V的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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